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    高頻感應(yīng)加熱電源頻率大于10OkHz，通常使用的頻率范圍在100一300kHz高頻電源現(xiàn)有兩種類(lèi)型，即電子管高頻振蕩電源和晶體管MOSFET高頻電源。前者是20世紀(jì)60年代的產(chǎn)品，正逐步被后者所取代。

    晶體管高頻感應(yīng)加熱電源正取代電子管振蕩電源，成為高頻段員域的主要電源。根據(jù)使用的晶體管類(lèi)型不同，又分為MOSFET和SIT高頻感應(yīng)加熱電源。隨著新型大功率器件的應(yīng)用，該系列高頻電源將得到進(jìn)一步的發(fā)展。以下介紹功率MOSFET串聯(lián)逆變高頻感應(yīng)加熱電源概況。

    (1)功率MOSFET串聯(lián)逆變電路結(jié)構(gòu)，下圖表示MOSFET 串聯(lián)逆變高頻電源的電路結(jié)構(gòu)。從圖中可知，其電路結(jié)構(gòu)與晶閘管串聯(lián)逆變中頻電源電路結(jié)構(gòu)相似。整流電路由VRl~VR6組成三相橋式全控整流，輸出直流電壓Ud可調(diào)，用于調(diào)節(jié)輸出功率。整流后的單相直流電經(jīng)濾波后供給逆變電路。逆變電路中Vl~V4采用MOSFET晶體管與VDl一VD4二極管并聯(lián)組成逆變電路。

    (2)逆變電路的工作原理 功率MOSFET串聯(lián)逆變電路的工作原理類(lèi)似晶閘管串聯(lián)逆變中頻電源。由于功率MOSFET具有自關(guān)斷能力，其逆變電路的工作頻率f與負(fù)載電路的諧振頻率fo相等，負(fù)載電壓電流相位差等于0。這種工作狀態(tài)下，功率MOSFET工作在零電流開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，有利于減小其開(kāi)關(guān)損耗，顯著提高了電路的效率。

   (3)功率MOSFET高頻電源的應(yīng)用 由于這類(lèi)電源的頻率很高主要用于金屬零件的表面強(qiáng)化處理，特殊情況下可用于細(xì)鋼絲或T尚王要用于金屬零件的表面強(qiáng)化處理。

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